成长性是否保持;年重要事项;笔对外投资合计1.59亿元,加快外延式扩张策略;张表怎么样;资产负债表;利润表;现金流量表;产能、产品有什么变化
z链研究员|胡泽松 编辑|LZ
半导体功率器件设计企业新洁能,它在2021年里核心价值发生了什么变化?
一、成长性是否保持?
2021年新洁能营业收入14.98亿元,同比增长56.89%,净利润4.10亿元增长194.55亿元。这两项关键指标均为历史新高值。
净利率27.40%、毛利率39.12%,均为新洁能历史最好最高值。净资产收益率30.62%,近5年中仅次于2018年的33.72%。
2021年每股派发现金红利0.575元、每股以资本公积金转增0.4股。2021年现金分红率20.01%高于2020年现金分红率7.64%。
二、2021年重要事项?
1. 7笔对外投资合计1.59亿元,加快外延式扩张策略
对全资子公司电基集成追加投资4000万元,对中山源微半导体有限公司投资1000万元持股8.67%,对国硅集成电路技术(无锡)有限公司投资250万元持股5.00%,对嘉兴临盈股权投资合伙企业(有限合伙)投资4490万元持股99.7778%,对无锡富力鑫企业管理合伙企业(有限合伙)投资3200万元持股64.00%,1000万元设立全资子公司金兰功率半导体(无锡)有限公司,对泰兴市永志电子器件有限公司投资2000万元持股1.6393%。
2.首次定增计划预案,研发及产业化功率器件及封测、功率驱动IC及智能功率模块、功率集成模块,及优化资本结构
新洁能的首次非公开发行预案,拟募集14.50亿元。
用于“第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测研发及产业化”、“功率驱动IC及智能功率模块(IPM)研发及产业化”、“SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块(含车规级)研发及产业化”及补充流动资金。
3.子公司“电基集成”pdfn5x6 full clip、TO252-4L、TO263及TO220封装产品量产,突破技术瓶颈实现国产替代
子公司“电基集成”致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的封测技术和产品,2021年实现收入7447.01万元,同比增长68.39%,员工人数增长约60%。
电基集成新增pdfn5x6 full clip、TO252-4L、TO263及TO220封装产品及全自动封测线,均已投入量产。
4.功率器件高端MOSFET、IGBT成立技术攻关小组,芯片代工在华虹四个厂投产
功率器件设计领域与科研院所开展长期合作,针对高端MOSFET、IGBT成立技术攻关小组;
芯片代工方面与华虹宏力建立长期战略合作,在华虹宏力一厂、二厂、三厂、七厂实现投产,2021年华虹半导体总采购额7.25亿元占年度采购额68.39%;
封装测试环节加强与长电科技、日月光、捷敏电子、成都集佳等十余家封装测试企业合作;
下游客户导入比亚迪等汽车品牌,实现十几款车规产品大批量供应,同时进入多个汽车品牌整机配件厂。
5.向141人实施股权激励计划,份额141.68万股
三、战略上和产业上有什么变化?
新洁能主要为Fabless模式,专注于中高端半导体功率器件和模块研发设计及销售。在巩固MOSFET和IGBT产品领先地位同时,拓展芯片加工产业,整合半导体功率器件封装测试环节垂直产业链以强化核心竞争力。
1.2021年上游晶圆代工厂产能紧张,新洁能调整产品结构、市场结构和客户结构,抓住下游客户国产化导入进程加快的时机。
2.降低Trench-MOSFET销售比例,由55.79%降至45.31%;资源向SGT-MOSFET倾斜和IGBT产品倾斜,SGT-MOSFET占比由31.69%增至38.96%,IGBT销售额8051.44万元增长529.44%。
3.积极发展汽车电子(含燃油车和新能源汽车)、光伏逆变和光伏储能、5G基站电源、工业自动化、高端电动工具等中高端行业,同时抓住新能源碳达峰碳中和快速增长的市场需求,重点发力光伏逆变和光伏储能市场。
4.优化经销商结构,发展实力较强、配合度较高且严格遵守公司规则制度的代理商和经销商,2021年经销收入9.69亿元增长92.65%
5.采取“构建-衍生-升级”发展模式使细分型号产品“裂变式”,目前新洁能已拥有1500余款细分型号产品可满足不同下游市场客户差异化需求。
四、三张表怎么样?
资产负债表:
1.资产类:2021年总资产18.85亿元,同比增长34.81%。
货币资金8.89亿元增长30.64%。
应收票据及账款2.99亿元减少21.39%。
存货2.40亿元增长120.29%。
固定资产2.03亿元增长95.21%。
在建工程0.23亿元减少0.20%
2.负债类:2021年总负债3.55亿元,同比增长48.81%。
应付票据及账款2.65亿元增长35.68%。
应付职工薪酬0.25亿元增长71.65%。
3.所有者权益类:2021年净资产15.30亿元,同比增长31.93%。
实收资本1.42亿元增长40.00%。
资本公积5.77亿元增长0.33%。
未分配利润7.20亿元增长66.38%。
4.资本结构:2021年资产负债率18.83%,较2020年增长1.77个百分点。
流动负债率90.97%下降4.28个百分点。
净资产收益率30.62%增长12.13个百分点。
存货周转率5.22次下降0.57次。
利润表:
1. 2021年营业收入14.98亿元,同比增长56.89%。
2. 2021年营业成本9.12亿元,同比增长27.98%。
销售费用0.21亿元增长50.98%、管理费用0.31亿元增长27.81%、研发费用0.80亿元增长54.05%、财务费用-0.17亿元减少185.34%。
3. 2021年营业利润4.7亿元,同比增长197.87%。
净利润4.10亿元增长194.55%。
毛利5.86亿元之中141.94%。
4. 2021年营业利润率31.34%,较2020年增长14.83个百分点。
净利率27.40%增长12.81个百分点。
毛利率39.12%增长13.75个百分点。
期间费用率7.60%下降1.15个百分点。
现金流量表:
1. 2021年经营性现金流4.51亿元,同比增长458.99%。
投资性现金流-2.17亿元减少84.09%。
筹资性现金流-0.25亿元减少105.50%。
期末现金及现金等价物余额8.74亿元增长31.25%。
2. 2021年自由现金流1.72亿元,同比增长552.63%。
净现比1.1,2020年为0.58。
五、产能、产品有什么变化?
2021年功率器件产量23.29亿只,较2020年增长35.42%,子公司电基集成封装测试产量已能满足新洁能近四成产品自主封测需求。
1.主要产品沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET和IGBT,已拥有覆盖12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品。
2.IGBT平台的12寸1200V高频低饱和压降IGBT已经稳定量产,使用载流子存储技术的650V高密度沟槽栅IGBT产品已初步开发完成,多款IGBT模块产品进入小批量生产。
3.sj-mos平台的深沟槽sj-mos四代沟槽栅产品完成650v、700v产品平台搭建,超结四代平台形成500v~700v完整产品系列。200v低压sj MOS产品开发已取得阶段性进展,12寸650V~700V SJ MOS进入稳定量产,超低特征导通电阻第五代SJ-MOS产品已产出样品。
4.sgt-mos平台的中压p型sgt MOS平台实现量产且电性能达到国际水准,低压二代SGT MOS平台完成规格型号拓展,产品数量增加至18 款,低压快恢复SGT MOS完成前期设计及晶圆流片。基于12寸芯片产线完成电化镀平台开发验证并量产。
5.trench-mos平台完成高可靠性的新型结构大功率中压p型trench-mos设计工艺模拟和工厂单项开发,在 12 英寸芯片产线上完成了多个N型中低压的工艺平台开发工作。
6.第三代半导体功率器件平台:开发1200v新能源汽车用sic MOS平台,1200V SiC MOSFET及650V E-Mode GaN HEMT首次流片验证完成,产品部分性能达到国内先进水平,产品综合特性及可靠性验证尚处于验证评估阶段。
六、技术和能力有什么变化?
新洁能具备独立的MOSFET和IGBT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。2021年研发投入7968.92万元,同比增长54.05%,占营收5.32%。研发人员80余人,薪酬增长68.93%。申报专利29项,之中发明专利16项;新增授权专利9项,之中实用新型8项、外观专利1项。
1.新洁能建立和完善了车规产品导入、过程管控、可靠性考核规范,推进车规产品完整体系建设,多款车用功率器件产品完成AEC-Q101标准认证。
2.研发设计紧跟英飞凌(Infineon)等国外一线品牌,部分产品参数、性能、送样表现达到国际一线水平,实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代。
3.率先在国内研发并量产基于12 英寸芯片工艺平台的MOSFET 产品,同时新增开发多款模块产品及功率IC产品,并对已推出产品进行升级换代。
4.提前布局半导体功率器件最先进的技术领域,开展对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化。
5.完成焊机综合测试平台、控制器测试平台、BMS测试平台、极限短路应用测试平台等实验平台搭建工作,用于功率器件验证及应用可靠性评估。
七、控制人有什么变化?
创始人朱袁正仍是新洁能实际控制人,持股比例 23.34%不变。与其余10个一致行动合计持股26.72%。
八、2022年计划到的目标?
1. 2022年新洁能继续提升和巩固在 MOSFET 和 IGBT 国内领先地位,同时提升半导体功率器件中高端品牌形象。
2.整合半导体功率器件封装测试垂直产业链计划。
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